为什么芯片是方的,,晶圆是圆的?
半导体制造流程中,,芯片在切割封装之前的所有制造步骤都是在晶圆(Wafer)上进行的。。。然而,,,,大家见到的成品芯片通常是方形的,,,,而在圆形的晶圆上制造芯片会导致部分区域未被充分利用。。。。那么,,为什么不采用方形的晶圆来提高利用率呢??
实际上,,这个问题的答案很简单:因为晶圆(最初的形态是硅片)是从圆柱形的硅棒上切割出来的,,,,所以其横截面只能是圆形。。。那么,,,,为什么硅棒是圆柱形的呢????
从半导体制造的上游产业来看,,,,即硅片与晶圆的制造过程。。首先,,,,需要了解单晶硅的制备。。单晶硅是制造芯片的基础材料,,它可以从石英砂中提取。。。。石英砂的主要成分是二氧化硅(SiO₂),,,,经过提纯和制备过程,,可以得到高纯度的多晶硅。。。。
1916年,,波兰化学家Jan Czochralski意外地将钢笔浸入熔化的锡坩埚中,,而不是墨水瓶中。。。当他迅速拔出钢笔时,,,,发现笔尖上悬挂着一根凝固的金属丝。。通过实验,,,他证实这根金属丝是由金属单晶构成的,,直径达到了毫米级别。。此后,,,,科学家们对这种方法进行了改进,,最终发展出了制造单晶硅的技术,,,这种方法被称为Czochralski法或直拉法。。
单晶硅与多晶硅相对应。。多晶硅由许多小晶粒组成,,,这些晶粒之间的排列没有规则。。而单晶硅本身就是一个完整的大型晶粒,,其中的原子或离子按照有序的模式排列。。。由于多晶硅不像单晶硅那样具有重复的单晶结构,,无法提供稳定的电学和机械性能,,因此用于制造芯片的硅片只能是单晶硅。。。。
总结,,,,硅棒之所以是圆柱形,,是因为单晶硅的制备过程中,,,,采用的是直拉法。。这种方法决定了硅棒的形状。。。。而圆形晶圆则更符合这一生产流程,,,,因此尽管部分区域未被充分利用,,但仍然选择圆形晶圆作为制造芯片的基础。。。
直拉法的过程:首先,,,在坩埚中将高纯度的硅加热至熔融状态。。。接着,,,将一个晶种(籽晶)置于一根精确定向的棒的末端,,,,并使其末端浸入熔融的硅中。。。。随后,,慢慢提升棒并同时旋转,,,通过严格控制提拉速度、、旋转速度以及温度,,,可以在棒的末端形成一根较大的圆柱状单晶硅棒。。。之后,,对这个硅棒进行打磨、、抛光和切割等工序,,,,从而得到可用于制造芯片的圆形硅片。。。。
因此,,,晶圆的圆形主要是因为硅棒的形状决定的。。。。不过,,严格来说,,,晶圆并不是完全的圆形。。通常情况下,,,,硅片在加工成晶圆后,,,,会在边缘处磨出一个缺口。。对于直径小于200毫米的硅片,,,通常会切割一个平角;而对于直径大于200毫米的硅片,,,,则会切出一个小口。。这样做的目的是为了标明硅晶的生长方向,,,同时也方便后续的光刻和刻蚀步骤中的定位操作。。。。
其实硅棒在切片之前可以先切割成长方体,,这样后续切片时就能直接得到“晶方”。。。不过,,用于生产芯片的硅棒通常不会这样做,,,原因如下:
首先,,圆形更有利于光刻涂胶。。。在光刻前,,晶圆表面需要均匀涂抹一层光刻胶,,,,涂胶的均匀度直接影响芯片的良品率。。目前常用的涂胶方法是在硅片中心涂胶,,然后通过旋转的方式将光刻胶均匀分布在整个晶圆上。。由于液体的粘滞性、、表面张力和空气阻力,,,方形晶圆在旋转涂胶时,,,,四个角容易发生光刻胶堆积,,,这会影响光刻的整体效果,,,,降低良品率,,,造成更多的浪费。。。
其次,,圆形晶圆的结构强度更高。。。在变成晶圆之前,,,硅片需要经过多次光刻、、、、刻蚀、、、化学研磨等复杂工艺。。。晶圆在这些过程中会在外圈积累较多应力,,,方形晶圆的尖角会导致边缘应力集中,,,容易在生产过程中破损,,,,进而影响整体良品率。。
至于为何有些晶圆的外圈没有芯片,,,,而有些晶圆即使在外圈也有不完整的芯片,,,这是因为晶圆的设计和布局不同。。在某些设计中,,,,外圈区域会被留空,,,,以防止边缘应力导致的破损,,提高整体良品率。。。而在其他设计中,,,,虽然外圈区域也可能存在不完整的芯片,,,但这些区域通常会被标记出来,,,以便在后续工艺中剔除,,,,确保只有良品进入下一步工序。。。。
这实际上与光刻过程中使用的光掩膜(Mask,,,又称遮光罩或光刻版)尺寸有关。。光刻的基本原理是让涂好光刻胶的硅片在特定光源(如EUV极紫外光)照射下曝光,,通过光掩膜在晶圆表面形成所需的电路图形。。光掩膜本身是方形的,,,,由许多网格组成,,,,每个网格称为一个Shot,,,,它是曝光的最小单位。。。每个Shot包含一个或多个Die以及外围的测试电路。。由于Shot是方形的,,因此Die也是方形的。。。。光掩膜的大小通常覆盖晶圆的所有区域,,,,所以在晶圆边缘处会出现不完整的Shot。。。。
此外,,,边缘效应也是一个重要因素。。如果不制作周边电路,,,晶圆边缘与中心的材料密度差异会对整体良品率产生影响。。为了应对这种情况,,即使在晶圆边缘也需要制作一些非完整的Shot,,,,以确保边缘和中心的材料密度一致。。。。
业内专家对此现象进行了详细解释:“在芯片制造过程中,,,晶圆会不断加厚,,,,尤其是在后段的金属和通孔制作工艺中,,,会使用多次CMP(化学机械研磨)过程。。如果晶圆边缘没有图形,,会导致边缘研磨速率过慢,,,,从而造成边缘和中心高度差。。
这种高度差在后续研磨过程中会影响相邻的完整芯片。。。。因此,,,即使是作为dummy pattern(假图案),,,,晶圆边缘的非完整Shot也需要正常曝光,,,以确保整体一致性。。。。”
然而,,,,晶圆外圈的芯片通常不会被使用。。。。正如上文所述,,由于生产工艺的原因,,,,晶圆边缘必然存在一定的应力。。。在这种区域生产的芯片内部也会保留应力,,,,在后续的切割、、封装和运输过程中更容易损坏。。。因此,,,,当前厂商在使用大面积晶圆生产芯片时,,通常会选择在整个晶圆上铺设电路,,,以提高良品率。。。这也是为什么有些晶圆外圈有芯片,,,而有些没有的原因。。。
总体而言,,使用圆形晶圆进行芯片制造具有较高的良品率。。。尽管如此,,,为何芯片不能设计成圆形呢????
实际上,,,圆形芯片的制造更为复杂。。。。硅片在完成涂胶、、、、光刻、、刻蚀、、离子注入等一系列工序后,,,,芯片才会被制造出来。。但这时芯片仍连接在晶圆上,,,需要经过切割才能成为独立的个体。。。。
设想一下,,,方形芯片只需几次切割即可完全分离。。而圆形芯片则需要花费更多时间进行切割,,可能需要数倍于方形芯片的时间。。。从封装角度来看,,方形芯片也更便于引线操作,,即使是采用Flip chip型封装,,,方形芯片也更易于机器操作,,,,以便将I/O接口与焊盘对齐。。。
最关键的一点是,,圆形芯片无法解决硅片面积浪费的问题。。在一个晶圆上切割出许多方形区域,,这些区域之间不会有间隙,,,,只有晶圆边缘可能会有少量未利用的空间。。然而,,,如果从一个平面上切割出许多圆形区域,,,则必然会在中间产生一些浪费的空间,,,,同时还会导致晶圆边缘的浪费。。。。
其实节约晶圆面积始终是一项重要课题。。。。晶圆上能生产的芯片越多,,,生产效率就越高,,,单颗芯片的成本也越低。。。。目前解决生产效率的最好方法就是提高晶圆面积,,,,也就是我们熟悉的微积分。。。
从图片中可以简单看出,,,,当芯片面积固定时,,,,采用更大的晶圆可以有效提升晶圆利用率。。。以国际上Fab厂通用的计算公式看:
在12寸晶圆上生产100mm²的芯片约能生产660块芯片,,,而采用8寸晶圆,,,,就只有180块芯片,,晶圆面积减少50%,,,但芯片数量却少了72%。。。因此,,,目前12寸晶圆成为全球更大IDM与foundry厂商的主要战场。。。我国目前只有少量企业拥有12英寸的半导体硅片制造技术,,,,国内企业正在加速追赶世界前列。。。
从晶圆利用率的角度来看,,,,目前的芯片设计已经不再采用圆形,,而是普遍使用方形芯片。。。尽管如此,,所谓的“晶圆”依然是圆形的,,,这在行业内很常见。。。
除了用于制造芯片外,,,硅片在光伏领域同样扮演着至关重要的角色。。。光伏发电通过利用硅片的光伏效应,,,,将阳光辐射能直接转化为电能。。。。无论是多晶硅还是单晶硅,,都能产生光伏效应。。。然而,,,,单晶硅由于其晶体结构更为完整,,,,光学和电学性能更加均匀,,机械强度更高,,,并且光电转换效率也更高,,,,因此单晶电池的转换效率通常比多晶电池高出2到3个百分点。。
光伏单晶硅的制备过程的前期与芯片单晶硅相同,,,,都是先将高纯硅加热至熔融态,,,再从中拉出一根单晶硅棒。。。。切片前,,,光伏硅会先将硅棒切成长方体,,这样硅片的横截面就变成方形了。。。。采用方形的原因同样很简单,,,如果光伏电池是圆形的,,,多个电池排列成太阳能电池板中间就会出现空隙,,,降低了整体转化率。。。。
与芯片相比,,制造光伏板对硅纯度的要求要稍低,,纯度标准只需要99.9999%,,达不到制作芯片的99.999999999%。。。。
总结芯片为什么是方的???圆形芯片难以切割,,,后续封装阶段也不方便控制,,,,最重要的是,,圆形芯片不能解决晶圆面积浪费的问题。。为什么晶圆是圆的???在生产芯片的过程中,,,圆形晶圆由于力学因素生产更方便,,,,良率更高,,,且硅棒天然是圆柱型,,,,晶圆自然也就是圆形了。。。不过在光伏领域,,方形硅片在电池封装时不会浪费空间,,,所以光伏硅片采用方形。。。
部分图文引用自-RFID世界网