在 Bosch 工艺中，，
，一个标准的循环包括选择性刻蚀和钝化两个步骤
。。。。在选择性刻蚀过程中，，，通常使用 SF6 和 O2 两种气体，，而在钝化过程中则使用 C4F8 气体
。。。首先，，利用 SF6 等离子体刻蚀硅衬底，
，
，然后利用 C4F8 等离子体沉积在硅衬底上，，最后在这些气体中加入 O2 等离子体，，，
，以有效控制刻蚀速率和选择性
。。由于这些步骤的交替使用
，，，Bosch 工艺在刻蚀过程中形成了贝壳状的刻蚀侧壁。。。

近年来，，引入了一种新型的等离子气相增强化学沉积设备 ICP-PECVD 用于填充TSV孔的绝缘层
。。。与传统PECVD不同的是，
，
，
，ICP-PECVD设备将射频功率通过电感耦合至工艺腔室，，同时配合耦合至反应室衬底的射频源，，以提高反应离子的方向性
。。。典型的ICP-PECVD工艺腔设计如图2所示
。。。ICP-PECVD工艺沉积SiO2的温度可降至20～100 ℃，，反应离子浓度较高，，有助于提高对TSV孔的填充效率。。。
。

许多国外公司已经成功研发了这项技术并推出了成熟的产品
，，，包括NEXX、、TECHNIC、、Semitool等公司。。特别是美国的NEXX公司是先进封装领域的专业设备供应商，，，，其Stratus S200（4-8英寸）、、S300（8-12英寸）全自动电镀设备已经在全球各大封装厂商中得到应用，，用于12英寸及以下规格晶圆的量产生产
，
，可适用于TSV
、、、、凸点、、
、UBM、、RDL、、、、铜互连等工艺。
。如图3所示
：

该系列设备的核心部分是垂直剪切镀单元（如图 4 所示），，主要包括阳极、、、、屏蔽件、、晶圆夹具、、、
、剪切屏和驱动电机等组件。
。单元框架上分别安装了这些部件，，包括安装导槽
、
、、提高镀层均匀性的剪切屏和直流导电夹紧机构。
。所有主要部件均采用氟塑料材料
，，，单元整体由螺栓和密封件连接组装而成
。。。

TSV 要求晶圆减薄至 50 μm 甚至更薄
，，，
，要使硅孔底部的铜暴露出来，，为下一步的互连做准备
。。。目前晶圆减薄可以通过机械研磨、、
、化学机械抛光、
、、湿法及干法化学处理等不同的加工工序来实现，，通过它们之间有机的结合，，，并优化这几道工序的比例关系，，，保证晶圆既能减薄到要求的厚度，
，又要有足够的强度。。。。目前四种主要晶圆减薄方法对比见表 1。。

图5展示了东京精密公司的一体机PG200/300的基本配置示意图。。。在该设备中，，PG部分集成了磨削和抛光功能。
。通过一个带有4个真空吸盘的大圆盘回转台，，晶圆可在不离开真空吸盘的情况下顺时针旋转360°，，，依次被送到粗磨、、
、、精磨、、
、抛光等不同加工工位，，完成整个减薄过程。。。这种一体机设备的应用有效解决了晶圆减薄过程中的技术难题，，，，提高了加工效率和质量。。

尊龙时凯